ISL9R18120G2
- Part Number:
- ISL9R18120G2
- Producent:
- ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 41832 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL9R18120G2.pdf
Wprowadzenie
We can supply ISL9R18120G2, use the request quote form to request ISL9R18120G2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ISL9R18120G2.The price and lead time for ISL9R18120G2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ISL9R18120G2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-ISL9R18120G2 |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 3.3V @ 18A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247-2 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Stealth™ |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 70ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 1200V 18A Through Hole TO-247-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 18A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Podstawowy numer części: | ISL9R18120 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL9R18120G2
Latest Aktualności
- Onsemi wprowadziło na mosfet pierwszą opakowanie na poboczu na świecie 650 V
- Zestaw rozwojowy silnika ON Semiconductor koncentruje się przede wszystkim na wydajności energetycznej
- Platforma lidara ON Semiconductor z fotopowielaczem krzemowym (SiPM) z bezpośrednim czasem przelotu (dToF) zapewnia gotowe projekty do zastosowań przemysłowych
- ON Semiconductor i Theta Power Systems International nawiązują współpracę w zakresie aplikacji sterowania silnikami
- ON Semiconductor mianuje Hassane El-Khoury na następcę CEO (CEO)