SIHB12N65E-GE3
- Numero ng Bahagi:
- SIHB12N65E-GE3
- Manufacturer:
- Vishay / Siliconix
- Paglalarawan:
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- Katayuan ng RoHS:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Dami sa Stock:
- 57274 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Oras ng produksyon:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- SIHB12N65E-GE3.pdf
pagpapakilala
We can supply SIHB12N65E-GE3, use the request quote form to request SIHB12N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHB12N65E-GE3.The price and lead time for SIHB12N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHB12N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Mga pagtutukoy
| Numero ng Panloob na Bahagi | RO-SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| Kondisyon | Original New |
| Bansa Pinagmulan | Contact us |
| Nangungunang Marking | email us |
| Kapalit | See datasheet |
| Boltahe - Test: | 1224pF @ 100V |
| Boltahe - Breakdown: | D²PAK (TO-263) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| serye: | - |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| polariseysyon: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 19 Weeks |
| Manufacturer Bilang Bahagi: | SIHB12N65E-GE3 |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 70nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Tampok: | N-Channel |
| Ang pinalawak Paglalarawan: | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | - |
| paglalarawan: | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| kapasidad Ratio: | 156W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa SIHB12N65E-GE3
Latest News
- Inilunsad ng Toshiba ang SmartMCD Series Gate Driver IC na may naka -embed na microcontroller
- ADI Deployment Sambanova Kit, na nagtataguyod ng Formula ng Produksyon AI upang makamit ang Breakthrough sa isang antas ng Enterprise
- Si Honeywell at Adi ay sumali sa mga kamay upang maisulong ang pagbabago at pagbabago ng automation ng gusali
- Inihayag ni Maxim ang paglulunsad
- Inilunsad ni Maxim ang isang kotse DC-DC converter MAX16984, isang kotse na may pinagsamang USB charging enumers
- Inilunsad ng Renesas Electronics ang unang programmable na de -koryenteng driver ng IC ng industriya
- Inilunsad ni Renesas ang unang henerasyon ng 32-bit RISC-V CPU kernel
- Inilunsad ni Vishay ang bagong 10 MBD low -power light coupling, kasing mababa ng 5 mA, ang saklaw ng boltahe ay 2.7 V hanggang 5.5 V
- Inilunsad ng Melexis ang isang bagong matalinong solusyon sa pag -divert upang maisama ang maaasahang seguridad
- Ang Toshiba ay nakabuo ng unang 2200V dual -carbide MOSFET module upang matulungan ang mahusay at miniaturization ng pang -industriya na kagamitan
- Malapit na ang panahon ng DDR5, at hindi maaaring balewalain ang mga bagong hamon
- Binuksan ni Renesas ang susunod na -generasyon ng kotse ng SOC SOC at MCU Processor ng Processor ng Processor