SIE808DF-T1-GE3
- Numero ng Bahagi:
- SIE808DF-T1-GE3
- Manufacturer:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Paglalarawan:
- MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
- Katayuan ng RoHS:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Dami sa Stock:
- 40700 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Oras ng produksyon:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- SIE808DF-T1-GE3.pdf
pagpapakilala
We can supply SIE808DF-T1-GE3, use the request quote form to request SIE808DF-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIE808DF-T1-GE3.The price and lead time for SIE808DF-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIE808DF-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Mga pagtutukoy
| Numero ng Panloob na Bahagi | RO-SIE808DF-T1-GE3 |
|---|---|
| Kondisyon | Original New |
| Bansa Pinagmulan | Contact us |
| Nangungunang Marking | email us |
| Kapalit | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | 10-PolarPAK® (L) |
| serye: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Power pagwawaldas (Max): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Kaso: | 10-PolarPAK® (L) |
| operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 27 Weeks |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 8800pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Type FET: | N-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 20V |
| Detalyadong Paglalarawan: | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa SIE808DF-T1-GE3
Latest News
- Inilunsad ng Toshiba ang SmartMCD Series Gate Driver IC na may naka -embed na microcontroller
- ADI Deployment Sambanova Kit, na nagtataguyod ng Formula ng Produksyon AI upang makamit ang Breakthrough sa isang antas ng Enterprise
- Si Honeywell at Adi ay sumali sa mga kamay upang maisulong ang pagbabago at pagbabago ng automation ng gusali
- Inihayag ni Maxim ang paglulunsad
- Inilunsad ni Maxim ang isang kotse DC-DC converter MAX16984, isang kotse na may pinagsamang USB charging enumers
- Inilunsad ng Renesas Electronics ang unang programmable na de -koryenteng driver ng IC ng industriya
- Inilunsad ni Renesas ang unang henerasyon ng 32-bit RISC-V CPU kernel
- Inilunsad ni Vishay ang bagong 10 MBD low -power light coupling, kasing mababa ng 5 mA, ang saklaw ng boltahe ay 2.7 V hanggang 5.5 V
- Inilunsad ng Melexis ang isang bagong matalinong solusyon sa pag -divert upang maisama ang maaasahang seguridad
- Ang Toshiba ay nakabuo ng unang 2200V dual -carbide MOSFET module upang matulungan ang mahusay at miniaturization ng pang -industriya na kagamitan
- Malapit na ang panahon ng DDR5, at hindi maaaring balewalain ang mga bagong hamon
- Binuksan ni Renesas ang susunod na -generasyon ng kotse ng SOC SOC at MCU Processor ng Processor ng Processor