SIHG33N65E-GE3
- Onderdeel nummer:
- SIHG33N65E-GE3
- Fabrikant:
- Vishay / Siliconix
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- RoHS-status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- hoeveelheid in voorraad:
- 89490 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Productie tijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- SIHG33N65E-GE3.pdf
Invoering
We can supply SIHG33N65E-GE3, use the request quote form to request SIHG33N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHG33N65E-GE3.The price and lead time for SIHG33N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHG33N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
bestek
| Intern onderdeelnummer | RO-SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| Staat | Original New |
| Land van oorsprong | Contact us |
| Top Markering | email us |
| Vervanging | See datasheet |
| Voltage - Test: | 4040pF @ 100V |
| Voltage - Breakdown: | TO-247AC |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Digi-Reel® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 32.4A (Tc) |
| Polarisatie: | TO-247-3 |
| Andere namen: | SIHG33N65E-GE3DKR |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 20 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | SIHG33N65E-GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 173nC @ 10V |
| IGBT Type: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | - |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| capacitieve Ratio: | 313W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SIHG33N65E-GE3
Latest Nieuws
- Toshiba lanceert SmartMCD -serie Gate Driver IC met ingebedde microcontroller
- ADI -implementatie Sambanova -kit, die de productieformule AI promoot om doorbraak te bereiken op een bedrijfsniveau
- Honeywell en Adi hebben de handen in elkaar gekomen om de innovatie en verandering van het bouwen van automatisering te bevorderen
- Maxim kondigde de lancering aan
- Maxim Lanceert een auto DC-DC-converter Max16984, een auto met geïntegreerde USB-oplaadraamers
- Renesas Electronics lanceert de eerste programmeerbare elektrische stuurprogramma's van de industrie
- Renesas lanceerde de eerste generatie van 32-bit RISC-V CPU-kernel
- Vishay lanceerde de nieuwe lichtkoppeling van 10 MBD low -power, zo laag als 5 mA, het spanningsbereik is 2,7 V tot 5,5 V
- Melexis lanceerde een nieuwe intelligente divert -oplossing om betrouwbare beveiliging te integreren
- Toshiba heeft de eerste 2200V dual -carbide MOSFET -module van de industrie ontwikkeld om de efficiënte en miniaturisatie van industriële apparatuur te helpen
- Het DDR5 -tijdperk nadert en nieuwe uitdagingen kunnen niet worden genegeerd
- Renesas opent de volgende -generatie auto SOC en MCU -processor productroute kaart