내부 부품 번호 | RO-SQ4917EY-T1_GE3 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 테스트: | 1910pF @ 30V |
전압 - 파괴: | 8-SO |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
연속: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8A (Tc) |
전력 - 최대: | 5W (Tc) |
편광: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TA) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 18 Weeks |
제조업체 부품 번호: | SQ4917EY-T1_GE3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 65nC @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET 특징: | 2 P-Channel (Dual) |
확장 설명: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | Standard |
기술: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 60V |
Email: | [email protected] |