SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3
제품 모델:
SIHS90N65E-E3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
70224 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
SIHS90N65E-E3.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-SIHS90N65E-E3
조건 Original New
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전압 - 테스트:11826pF @ 100V
전압 - 파괴:SUPER-247 (TO-274AA)
아이디 @ VGS (일) (최대):29 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (최대):10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:-
RoHS 상태:Digi-Reel®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):87A (Tc)
편광:TO-247-3
다른 이름들:SIHS90N65E-E3DKR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:14 Weeks
제조업체 부품 번호:SIHS90N65E-E3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:591nC @ 10V
IGBT 유형:±30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:4V @ 250µA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 650V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):650V
용량 비율:625W (Tc)
Email:[email protected]

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