SIHG33N65E-GE3
- 제품 모델:
- SIHG33N65E-GE3
- 기술:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 89490 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SIHG33N65E-GE3.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 테스트: | 4040pF @ 100V |
| 전압 - 파괴: | TO-247AC |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (최대): | 10V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | - |
| RoHS 상태: | Digi-Reel® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 32.4A (Tc) |
| 편광: | TO-247-3 |
| 다른 이름들: | SIHG33N65E-GE3DKR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 20 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | SIHG33N65E-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 173nC @ 10V |
| IGBT 유형: | ±30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 650V |
| 용량 비율: | 313W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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