SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3
제품 모델:
SIHF12N65E-GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
49878 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
SIHF12N65E-GE3.pdf

소개

We can supply SIHF12N65E-GE3, use the request quote form to request SIHF12N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHF12N65E-GE3.The price and lead time for SIHF12N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHF12N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

규격

내부 부품 번호 RO-SIHF12N65E-GE3
조건 Original New
국가 원산지 Contact us
최고 마킹 email us
바꿔 놓음 See datasheet
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 250µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220 Full Pack
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):380 mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대):33W (Tc)
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:TO-220-3 Full Pack
다른 이름들:SIHF12N65E-GE3CT
SIHF12N65E-GE3CT-ND
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1224pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:70nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석