PSMN8R5-108ESQ
- 제품 모델:
- PSMN8R5-108ESQ
- 기술:
- MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 66378 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- PSMN8R5-108ESQ.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-PSMN8R5-108ESQ |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 1mA |
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | I2PAK |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 263W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 다른 이름들: | 568-11432-5 934068134127 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 108V |
| 상세 설명: | N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 100A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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