PSMN3R0-60BS,118
PSMN3R0-60BS,118
제품 모델:
PSMN3R0-60BS,118
제조사:
Nexperia
기술:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
40959 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
PSMN3R0-60BS,118.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-PSMN3R0-60BS,118
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아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:D2PAK
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.2 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):306W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:1727-7121-2
568-9491-2
568-9491-2-ND
934066328118
PSMN3R060BS118
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:8079pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:130nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
상세 설명:N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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