내부 부품 번호 | RO-PSMN2R9-25YLC,115 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 테스트: | 2083pF @ 12V |
전압 - 파괴: | LFPAK56, Power-SO8 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.15 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (최대): | 4.5V, 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | - |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100A (Tc) |
편광: | SC-100, SOT-669 |
다른 이름들: | 1727-5301-2 568-6731-2 568-6731-2-ND 934065202115 PSMN2R925YLC115 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | PSMN2R9-25YLC,115 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 33nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±20V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.95V @ 1mA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 25V 100A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 25V |
용량 비율: | 92W (Tc) |
Email: | [email protected] |