NSV60101DMTWTBG
NSV60101DMTWTBG
제품 모델:
NSV60101DMTWTBG
제조사:
ON Semiconductor
기술:
TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
75650 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
NSV60101DMTWTBG.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-NSV60101DMTWTBG
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):60V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):180mV @ 100mA, 1A
트랜지스터 유형:2 NPN (Dual)
제조업체 장치 패키지:6-WDFN (2x2)
연속:-
전력 - 최대:2.27W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:6-WDFN Exposed Pad
다른 이름들:NSV60101DMTWTBG-ND
NSV60101DMTWTBGOSTR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:19 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:180MHz
상세 설명:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:120 @ 500mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):1A
Email:[email protected]

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