NSV60101DMTWTBG
- Número de pieza:
- NSV60101DMTWTBG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 75650 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NSV60101DMTWTBG.pdf
Introducción
We can supply NSV60101DMTWTBG, use the request quote form to request NSV60101DMTWTBG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSV60101DMTWTBG.The price and lead time for NSV60101DMTWTBG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSV60101DMTWTBG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-NSV60101DMTWTBG |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 60V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 180mV @ 100mA, 1A |
| Tipo de transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | 6-WDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 2.27W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | NSV60101DMTWTBG-ND NSV60101DMTWTBGOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 19 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 180MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NSV60101DMTWTBG
Latest Noticias
- Onsemi lanzó el primer empaque de peaje del mundo 650 V Silicon Carbide MOSFET
- El kit de desarrollo de motores de ON Semiconductor se centra primero en la eficiencia energética
- La plataforma lidar de fotomultiplicador de silicio (SiPM) de tiempo de vuelo directo (dToF) de ON Semiconductor proporciona diseños listos para usar para aplicaciones de rango industrial
- ON Semiconductor y Theta Power Systems International establecen una asociación para aplicaciones de control de motores
- ON Semiconductor nombra a Hassane El-Khoury como consejero delegado sucesor (CEO)