내부 부품 번호 | RO-MT29F512G08CMCBBH7-6R:B |
---|---|
조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
전압 - 공급: | 2.7 V ~ 3.6 V |
과학 기술: | FLASH - NAND |
연속: | - |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 크기: | 512Gb (64G x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
메모리 형식: | FLASH |
상세 설명: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 166MHz |
클럭 주파수: | 166MHz |
Email: | [email protected] |