GB05SLT12-252
- 제품 모델:
- GB05SLT12-252
- 기술:
- DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 70903 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- GB05SLT12-252.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-GB05SLT12-252 |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 피크 역 (최대): | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우: | 5A |
| 전압 - 파괴: | TO-252 |
| 연속: | - |
| RoHS 상태: | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 만약, F @ 저항: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| 편광: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들: | 1242-1129 GB05SLT12252 |
| 작동 온도 - 정션: | 0ns |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 18 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | GB05SLT12-252 |
| 확장 설명: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252 |
| 다이오드 구성: | 50µA @ 1200V |
| 기술: | DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향: | 1.8V @ 2A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당): | 1200V (1.2kV) |
| VR, F @ 용량: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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