BUK9E2R3-40E,127
BUK9E2R3-40E,127
제품 모델:
BUK9E2R3-40E,127
제조사:
NXP Semiconductors / Freescale
기술:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
73641 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
BUK9E2R3-40E,127.pdf

소개

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내부 부품 번호 RO-BUK9E2R3-40E,127
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아이디 @ VGS (일) (최대):2.1V @ 1mA
Vgs (최대):±10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:I2PAK
연속:TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.2 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):293W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들:568-9871-5
934066413127
BUK9E2R340E127
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:13160pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:87.8nC @ 5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:N-Channel 40V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):120A (Tc)
Email:[email protected]

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