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Rohmは、超低伝導抵抗を実現する新世代のバイポーラMOSFETを開発します

  • 著者:ROGER
  • 発行::2021-06-30

〜産業機器や基地局のモーターによって駆動される12の40Vおよび60Vの耐圧製品に最適です〜

グローバルに知られています半導体メーカーローム(日本、日本に本社を置く)は、2つの圧力±40Vと±60VのMOSFETを組み込んで、24V入力バイポーラMOSFET * 1 "QH8MX5 / SH8MX5シリーズ(NCH + PCH * 2)"、非常にモーターFAなどの産業機器および基地局(冷却ファン)。

近年、産業用機器や基地局で使用される24Vの入力をサポートするために、駆動装置としてMOSFETを用い、電圧安定マージンを考慮する必要があることが40Vと60Vの圧力抵抗を必要とする。また、モータの効率をさらに向上させ、サイズを小さくするために、MOSFETは低抵抗および高速スイッチングも提案する。

これに関連して、RoHMは2020年末までに発行された新世代のPCH MOSFET * 2に従っており、今回はNCHの新しい微細プロセスに統合された第6世代40Vおよび60Vの耐圧MOSFETを開発した。この組み合わせを通して、ROHMは24Vの入力をサポートする±40Vおよび±60Vの電圧レベルを有する。業界高度なNCH + PCH入札MOSFET製品。さらに、より広範な要求を満たすために、ROHMは+ 40Vおよび+ 60Vの電圧「QH8KXX / SH8KXXシリーズ(NCH + NCH)」を開発し、製品ラインナップは12モデルに達しています。

このシリーズの製品はRohmの新しいプロセスを使用しています。業界超低オン抵抗、±40Vの引き抜き積のオン抵抗は、通常の製品のそれよりも61%低い(バイポーラMOSFETのPCH部分と比較して)、さまざまなデバイスの消費電力をさらに低減するのに役立ちます。さらに、2つの装置をパッケージに統合することによって、実装領域を減らすことによって装置の小型化を低減し、装置選択の時間を短縮するのを助ける(NCHおよびPCH)。

この一連の製品は、2021年3月に100万ヶ月の規模で一時的に量産されています(サンプル価格250円/シングル、税除外)。さらに、新製品も電子商取引販売を開始しました.EコマースプラットフォームAmeya360を通じて購入することができます。

将来的には、Rohmはまた、高圧の産業用機器のための100Vおよび150Vの耐圧製品を開発して、様々な用途の消費電力を削減し、環境保護を解決するためのそれらの小型化を達成することによって、このシリーズのラインナップを拡大することによっても開発します。問題。

<新製品の機能>

1。成し遂げる業界超低導電率抵抗性

ローム開発で業界高度なバイポーラMOSFETでは、新たなプロセスが使用され、±40Vの耐圧生成物が61%まで低下し、NCH部のオン抵抗も39%減少します。さまざまな機器の消費電力。

2.バイポーラMOSFETのみの特徴のみを持ち、小型化と設計サイクルの短縮を実現するのに役立ちます

1つのパッケージ内の2つのデバイスを内蔵して、デバイスの小型化を小型化し、デバイスの選択を減らすのに役立ちます。小型化の面では、従来のNCH + PCH BID MOSFET(SOP8)を新製品(TSMT8)に置き換えた場合、設置面積を75%削減することができます。

<プレ付運転者ICの組み合わせ、より優れたモータードライブソリューションを提供する>

Rohm単相と三相ブラシレスモーターで実りある用途性能を持つ製品を使用することによって運転者ICを組み合わせて、モータの小型化、低消費電力、およびミュート駆動をさらに検討する。周辺機器回路用のバイポーラMOSFETシリーズとプリドライブICの組み合わせを提供することで、そのニーズを満たし、より優れたモータドライブソリューションです。

合成例

■QH8MC5(±60V耐タンド+ PCHダブルネゴシックMOSFET)とBD63001AMUV(三相ブラシレスモーター)運転者IC)

■SH8KB6(+ 40Vの引き出しNCH + NCH Biopathy MOSFET)とBM62300MUV(三相ブラシレスモーター)運転者IC)

■SH8KB6(+ 40V耐タンドNCH + NCHダブルネゴシックMOSFET)とBD63002AMUV(三相ブラシレスモーター)運転者IC)

<製品ラインナップ>

NCH + PCHバイオードMOSFET

NCH + NCHバイポーラMOSFET

<応用例>

■FAデバイス、ロボット基地局用の産業用機器とファンモーターを待つ

■大型消費電力機器用ファンモータ

* 1)MOSFETの略語(金属酸化物 - 半導体電界効果トランジスタ)

金属酸化物 - 半導体電界効果トランジスタはFETで最も一般的に使用されている構造です。スイッチング素子として使用されます。

* 2)Pch MOSFETとNCH MOSFET

PCH MOSFET:ソースに対してソースに対して電圧を印加することによってオンにされるMOSFET。

入力電圧の下に駆動される電圧を使用することができるので、回路構造は簡単です。

NCH MOSFET:ゲートへの位相を適用することによってソースが正の電圧でMOSFETをオンにします。

PCH MOSFETと比較して、ドレイン間にはより小さな導通抵抗があり、それによって従来の損失が低減される。

* 3)抵抗をオンにする

MOSFETが開始されたときのドレインとソース間の抵抗値(ON)。この値が小さいほど、実行時の損失の少ない(電力損失)。