STI11NM80
- 部品型番:
- STI11NM80
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 説明:
- MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 31264 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- STI11NM80.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-STI11NM80 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | I2PAK (TO-262) |
| シリーズ: | MDmesh™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 150W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 他の名前: | 497-13106-5 |
| 運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1630pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 43.6nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 800V |
| 詳細な説明: | N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
