SIHG33N65E-GE3
- 部品型番:
- SIHG33N65E-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 89490 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SIHG33N65E-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 電圧 - テスト: | 4040pF @ 100V |
| 電圧 - ブレークダウン: | TO-247AC |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs（最大）: | 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | - |
| RoHSステータス: | Digi-Reel® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 32.4A (Tc) |
| 偏光: | TO-247-3 |
| 他の名前: | SIHG33N65E-GE3DKR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 20 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SIHG33N65E-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 173nC @ 10V |
| IGBTタイプ: | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 650V |
| 静電容量比: | 313W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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