内部モデル | RO-SIHF30N60E-GE3 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 2600pF @ 100V |
同上@ VGS(TH)(最大): | 125 mOhm @ 15A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | E |
RoHSステータス: | Digi-Reel® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 29A (Tc) |
偏光: | TO-220-3 Full Pack |
他の名前: | SIHF30N60E-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 19 Weeks |
製造元の部品番号: | SIHF30N60E-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 130nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 600V |
静電容量比: | 37W (Tc) |
Email: | [email protected] |