内部モデル | RO-SIHA2N80E-GE3 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220 Full Pack |
シリーズ: | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2.75 Ohm @ 1A, 10V |
電力消費(最大): | 29W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack |
他の名前: | SIHA2N80E-GE3TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 315pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 19.6nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
詳細な説明: | N-Channel 800V 2.8A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |