内部モデル | RO-PDTC115ES,126 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 150mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 100 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 100 kOhms |
電力 - 最大: | 500mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
他の名前: | 934057567126 PDTC115ES AMO PDTC115ES AMO-ND |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 80 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 20mA |
ベース部品番号: | PDTC115 |
Email: | [email protected] |