内部モデル | RO-NTLJS1102PTAG |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 720mV @ 250µA |
Vgs(最大): | ±6V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-WDFN (2x2) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
電力消費(最大): | 700mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-WDFN Exposed Pad |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1585pF @ 4V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 25nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.2V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 8V |
詳細な説明: | P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |