NDD03N50Z-1G
- 部品型番:
- NDD03N50Z-1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 説明:
- MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 49338 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- NDD03N50Z-1G.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-NDD03N50Z-1G |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | I-PAK |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 58W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 他の名前: | NDD03N50Z-1G-ND NDD03N50Z-1GOS NDD03N50Z1G |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 274pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 10nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 500V |
| 詳細な説明: | N-Channel 500V 2.6A (Tc) 58W (Tc) Through Hole I-PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 2.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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