内部モデル | RO-MT44K64M18RB-107E IT:A |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.28 V ~ 1.42 V |
技術: | DRAM |
シリーズ: | - |
他の名前: | MT44K64M18RB-107E IT:A-ND MT44K64M18RB-107EIT:A |
運転温度: | -40°C ~ 95°C (TC) |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 1.125Gb (64Mb x 18) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 933MHz 8ns |
クロック周波数: | 933MHz |
アクセス時間: | 8ns |
Email: | [email protected] |