FCP190N65F
FCP190N65F
部品型番:
FCP190N65F
メーカー:
ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
43323 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
FCP190N65F.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-FCP190N65F
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 2mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220-3
シリーズ:FRFET®, SuperFET® II
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):190 mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大):208W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3225pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:78nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:650V
詳細な説明:N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20.6A (Tc)
Email:[email protected]

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