English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
関連情報 | お問い合わせ | オンラインお問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > 集積回路 (ic) > メモリ > EDB4432BBPE-1D-F-D
EDB4432BBPE-1D-F-D
部品型番:
EDB4432BBPE-1D-F-D
メーカー:
Micron Technology
説明:
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
74628 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
EDB4432BBPE-1D-F-D.pdf
オンラインお問い合わせ

簡潔な

We can supply EDB4432BBPE-1D-F-D, use the request quote form to request EDB4432BBPE-1D-F-D pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EDB4432BBPE-1D-F-D.The price and lead time for EDB4432BBPE-1D-F-D depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EDB4432BBPE-1D-F-D.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

規格

内部モデル RO-EDB4432BBPE-1D-F-D
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
電源電圧 - :1.14 V ~ 1.95 V
技術:SDRAM - Mobile LPDDR2
シリーズ:-
パッケージング:Tray
運転温度:-30°C ~ 85°C (TC)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:3 (168 Hours)
メモリタイプ:Volatile
記憶容量:4Gb (128M x 32)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
クロック周波数:533MHz
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考

同様のモデルのEDB4432BBPE-1D-F-D

絵 部品型番 メーカー 説明 ビュー
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Image EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA オンラインお問い合わせ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Image EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA オンラインお問い合わせ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Image EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA オンラインお問い合わせ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Image EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA オンラインお問い合わせ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Image EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA オンラインお問い合わせ
EDB5432BEBH-1DIT-F-D Image EDB5432BEBH-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ オンラインお問い合わせ
EDB5432BEPA-1DIT-F-R Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ オンラインお問い合わせ
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Image EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ オンラインお問い合わせ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Image EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA オンラインお問い合わせ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Image EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ オンラインお問い合わせ
EDB5432BEPA-1DIT-F-D Image EDB5432BEPA-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBPA-1D-F-D Image EDB4432BBPA-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA オンラインお問い合わせ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA オンラインお問い合わせ

最新ニュース