内部モデル | RO-C2M0160120D |
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状況 | Original New |
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トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 500µA |
Vgs(最大): | +25V, -10V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247-3 |
シリーズ: | Z-FET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 196 mOhm @ 10A, 20V |
電力消費(最大): | 125W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 52 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 527pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 32.6nC @ 20V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1200V |
詳細な説明: | N-Channel 1200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 19A (Tc) |
Email: | [email protected] |