SQJ431EP-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQJ431EP-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 60348 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SQJ431EP-T1_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SQJ431EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Prova: | 4355pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs (th) (max) a Id: | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| Polarizzazione: | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQJ431EP-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | P-Channel |
| Descrizione espansione: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| rapporto di capacità: | 83W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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