SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3
Modello di prodotti:
SIHF30N60E-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
63948 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
SIHF30N60E-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-SIHF30N60E-GE3
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - Prova:2600pF @ 100V
Vgs (th) (max) a Id:125 mOhm @ 15A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:E
Stato RoHS:Digi-Reel®
Rds On (max) a Id, Vgs:29A (Tc)
Polarizzazione:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:SIHF30N60E-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
codice articolo del costruttore:SIHF30N60E-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:130nC @ 10V
Tipo IGBT:±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600V
rapporto di capacità:37W (Tc)
Email:[email protected]

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