SIHF12N65E-GE3
- Modello di prodotti:
- SIHF12N65E-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 49878 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SIHF12N65E-GE3.pdf
introduzione
We can supply SIHF12N65E-GE3, use the request quote form to request SIHF12N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHF12N65E-GE3.The price and lead time for SIHF12N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHF12N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SIHF12N65E-GE3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 Full Pack |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 33W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | SIHF12N65E-GE3CT SIHF12N65E-GE3CT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1224pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIHF12N65E-GE3
Latest Notizie
- Toshiba lancia il driver del gate della serie SmartMCD IC con microcontrollore incorporato
- Displementazione del kit Sambanova ADI, promuovendo la formula di produzione AI per raggiungere la svolta a livello aziendale
- Honeywell e Adi si sono uniti per promuovere l'innovazione e il cambiamento dell'automazione dell'edificio
- Maxim ha annunciato il lancio
- Maxim lancia un convertitore DC-DC Max16984, un'auto con enumatori di ricarica USB integrati
- Renesas Electronics lancia il primo driver elettrico programmabile del settore IC
- Renesas ha lanciato la prima generazione di kernel CPU RISC-V a 32 bit
- Vishay ha lanciato il nuovo accoppiamento di luce a bassa potenza da 10 mbd, a partire da 5 mA, l'intervallo di tensione è da 2,7 V a 5,5 V.
- Melexis ha lanciato una nuova soluzione di deviazione intelligente per integrare la sicurezza affidabile
- Toshiba ha sviluppato il primo modulo MOSFET a doppia Carbide da 2200 V del settore per aiutare l'efficiente e la miniaturizzazione delle attrezzature industriali
- L'era DDR5 si sta avvicinando e le nuove sfide non possono essere ignorate
- Renesas apre la mappa del percorso del prodotto per il processore auto e del processore MCU successivo