NTLJS3A18PZTWG
- Modello di prodotti:
- NTLJS3A18PZTWG
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 58770 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NTLJS3A18PZTWG.pdf
introduzione
We can supply NTLJS3A18PZTWG, use the request quote form to request NTLJS3A18PZTWG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTLJS3A18PZTWG.The price and lead time for NTLJS3A18PZTWG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTLJS3A18PZTWG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-NTLJS3A18PZTWG |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2240pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTLJS3A18PZTWG
Latest Notizie
- Onsemi ha lanciato il primo pacchetto mondiale a pedaggio a 650 V Silicon Carbide Mosfet
- Il kit di sviluppo del motore di ON Semiconductor si concentra innanzitutto sull'efficienza energetica
- La piattaforma lidar del fotomoltiplicatore al silicio (SiPM) di ON Semiconductor dToF (direct time-of-flight) fornisce progetti pronti per applicazioni di portata industriale
- ON Semiconductor e Theta Power Systems International stabiliscono una partnership per le applicazioni di controllo dei motori
- ON Semiconductor nomina Hassane El-Khoury come successore CEO (CEO)