Numero di parte interno | RO-NTLJF4156NTAG |
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Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WDFN (2x2) |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 70 mOhm @ 2A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 710mW (Ta) |
imballaggio: | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
Altri nomi: | NTLJF4156NTAGOSCT |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 427pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tj) |
Email: | [email protected] |