NCV84160DR2G
- Modello di prodotti:
- NCV84160DR2G
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- 160MOHM SMARTFET
- Quantità in magazzino:
- 63654 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NCV84160DR2G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-NCV84160DR2G |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 28 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | - |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 40 Weeks |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 0.9V, 2.1V |
| Stato senza piombo: | Lead free |
| Tipo di ingresso: | CMOS |
| Tipo di porta: | IGBT |
| Configurazione guidata: | High-Side |
| Descrizione dettagliata: | High-Side Gate Driver IC CMOS 8-SOIC |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | - |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Single |
| Email: | [email protected] |
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