NCV84160DR2G
Artikelnummer:
NCV84160DR2G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
160MOHM SMARTFET
Menge auf Lager:
63654 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NCV84160DR2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-NCV84160DR2G
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannungsversorgung:4.5 V ~ 28 V
Supplier Device-Gehäuse:8-SOIC
Serie:-
Aufstieg / Fallzeit (Typ):-
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber:1
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:40 Weeks
Logikspannung - VIL, VIH:0.9V, 2.1V
Bleifreier Status:Lead free
Eingabetyp:CMOS
Gate-Typ:IGBT
Angetriebene Konfiguration:High-Side
detaillierte Beschreibung:High-Side Gate Driver IC CMOS 8-SOIC
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink):-
Ladestrom:Single
Email:[email protected]

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