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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-matrici > IMN11T110
IMN11T110
IMN11T110
Modello di prodotti:
IMN11T110
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
71208 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
IMN11T110.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IMN11T110
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.2V @ 100mA
Tensione - inversa (Vr) (max):80V
Contenitore dispositivo fornitore:6-SMD
Velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):4ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:IMN11T110-ND
IMN11T110TR
Temperatura di funzionamento - Giunzione:150°C (Max)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Configurazione diodo:2 Pair Common Cathode
Descrizione dettagliata:Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457
Corrente - Dispersione inversa a Vr:100nA @ 70V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):100mA
Numero di parte base:MN11
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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IMN223020P Crouzet IPD M30 SHLD 3W SPST PLUG Inchiesta
IMN223010C Crouzet IPD M30 SHLD 3W SPST 2M Inchiesta
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IMN22185C Crouzet IPD M18 SHLD 3W SPST 2M Inchiesta
IMN22185P Crouzet IPD M18 SHLD 3W SPST PLUG Inchiesta
IMN15124C Crouzet IPD M12 NONSHLD 3W SPST 2M Inchiesta
IMN10T108 Image IMN10T108 LAPIS Semiconductor DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD Inchiesta
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IMN223010P Crouzet IPD M30 SHLD 3W SPST PLUG Inchiesta
IMN22122C Crouzet IPD M12 SHLD 3W SPST 2M Inchiesta
IMN22124P Crouzet IPD M12 SHLD 3W SPST PLUG Inchiesta
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