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IMN11T110
IMN11T110
Número de pieza:
IMN11T110
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
71208 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IMN11T110.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-IMN11T110
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):80V
Paquete del dispositivo:6-SMD
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Otros nombres:IMN11T110-ND
IMN11T110TR
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:2 Pair Common Cathode
Descripción detallada:Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457
Corriente - Fuga inversa a Vr:100nA @ 70V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100mA
Número de pieza base:MN11
Email:[email protected]

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