APT100GN60LDQ4G - Distributore Microsemi - ROGER Technology Limited

APT100GN60LDQ4G

Modello di prodotti:: APT100GN60LDQ4G

fabbricante:: Microsemi

Descrizione:: IGBT 600V 229A 625W TO264

Stato RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

Quantità in magazzino:: 75700 Pieces

Tempo di consegna:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Tempi di produzione:: 4-8 weeks

Scheda dati:: 1.APT100GN60LDQ4G.pdf 2.APT100GN60LDQ4G.pdf

Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno	RO-APT100GN60LDQ4G
Condizione	Original New
Paese di origine	Contact us
Contrassegno superiore	email us
Sostituzione	See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:	1.85V @ 15V, 100A
Condizione di test:	400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:	31ns/310ns
di scambio energetico:	4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-264 [L]
Serie:	-
Potenza - Max:	625W
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-264-3, TO-264AA
Altri nomi:	APT100GN60LDQ4GMI APT100GN60LDQ4GMI-ND
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:	Standard
Tipo IGBT:	Trench Field Stop
carica gate:	600nC
Descrizione dettagliata:	IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
Corrente - collettore Pulsed (Icm):	300A
Corrente - collettore (Ic) (max):	229A
Email:	[email protected]

Parti relative per APT100GN60LDQ4G

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
APT100DL60BG	Microsemi	DIODE GEN PURP 600V 100A TO247	Inchiesta
APT100GN120B2G	Microsemi	IGBT 1200V 245A 960W TMAX	Inchiesta
APT100GT60JRDQ4	Microsemi	IGBT 600V 148A 500W SOT227	Inchiesta
APT100GN120J	Microsemi	IGBT 1200V 153A 446W SOT227	Inchiesta
APT100GN60B2G	Microsemi	IGBT 600V 229A 625W TMAX	Inchiesta
APT100GT60B2RG	Microsemi	IGBT 600V 148A 500W SOT247	Inchiesta
APT100GT120JU2	Microsemi	IGBT 1200V 140A 480W SOT227	Inchiesta
APT100GT120JU3	Microsemi	IGBT 1200V 140A 480W SOT227	Inchiesta
APT100GT120JRDQ4	Microsemi	IGBT 1200V 123A 570W SOT227	Inchiesta
APT100GF60JU3	Microsemi	IGBT 600V 120A 416W SOT227	Inchiesta
APT100GT120JR	Microsemi	IGBT 1200V 123A 570W SOT227	Inchiesta
APT100S20BG	Microsemi	DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247	Inchiesta
APT100GF60JU2	Microsemi	IGBT 600V 120A 416W SOT227	Inchiesta
APT100MC120JCU2	Microsemi	MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP	Inchiesta
APT100DL60HJ	Microsemi	MOD DIODE 600V SOT-227	Inchiesta
APT100GLQ65JU2	Microsemi	POWER MODULE - IGBT	Inchiesta
APT100GN120JDQ4	Microsemi	IGBT 1200V 153A 446W SOT227	Inchiesta
APT100M50J	Microsemi	MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227	Inchiesta
APT100GT60JR	Microsemi	IGBT 600V 148A 500W SOT227	Inchiesta
APT100F50J	Microsemi	MOSFET N-CH 500V 103A SOT227	Inchiesta

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