APT100GN60LDQ4G - Διανομέας Microsemi

APT100GN60LDQ4G

Αριθμός εξαρτήματος:: APT100GN60LDQ4G

Κατασκευαστής:: Microsemi

Περιγραφή:: IGBT 600V 229A 625W TO264

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 75700 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: 1.APT100GN60LDQ4G.pdf 2.APT100GN60LDQ4G.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT100GN60LDQ4G, use the request quote form to request APT100GN60LDQ4G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT100GN60LDQ4G.The price and lead time for APT100GN60LDQ4G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT100GN60LDQ4G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-APT100GN60LDQ4G
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):	600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:	1.85V @ 15V, 100A
Test Condition:	400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:	31ns/310ns
εναλλαγή Ενέργειας:	4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	TO-264 [L]
Σειρά:	-
Ισχύς - Max:	625W
Συσκευασία:	Tube
Συσκευασία / υπόθεση:	TO-264-3, TO-264AA
Αλλα ονόματα:	APT100GN60LDQ4GMI APT100GN60LDQ4GMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:	32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:	Standard
IGBT Τύπος:	Trench Field Stop
πύλη Χρέωση:	600nC
Λεπτομερής περιγραφή:	IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):	300A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):	229A
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για APT100GN60LDQ4G

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
APT100DL60BG	Microsemi	DIODE GEN PURP 600V 100A TO247	Έρευνα
APT100GN120B2G	Microsemi	IGBT 1200V 245A 960W TMAX	Έρευνα
APT100GT60JRDQ4	Microsemi	IGBT 600V 148A 500W SOT227	Έρευνα
APT100GN120J	Microsemi	IGBT 1200V 153A 446W SOT227	Έρευνα
APT100GN60B2G	Microsemi	IGBT 600V 229A 625W TMAX	Έρευνα
APT100GT60B2RG	Microsemi	IGBT 600V 148A 500W SOT247	Έρευνα
APT100GT120JU2	Microsemi	IGBT 1200V 140A 480W SOT227	Έρευνα
APT100GT120JU3	Microsemi	IGBT 1200V 140A 480W SOT227	Έρευνα
APT100GT120JRDQ4	Microsemi	IGBT 1200V 123A 570W SOT227	Έρευνα
APT100GF60JU3	Microsemi	IGBT 600V 120A 416W SOT227	Έρευνα
APT100GT120JR	Microsemi	IGBT 1200V 123A 570W SOT227	Έρευνα
APT100S20BG	Microsemi	DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247	Έρευνα
APT100GF60JU2	Microsemi	IGBT 600V 120A 416W SOT227	Έρευνα
APT100MC120JCU2	Microsemi	MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP	Έρευνα
APT100DL60HJ	Microsemi	MOD DIODE 600V SOT-227	Έρευνα
APT100GLQ65JU2	Microsemi	POWER MODULE - IGBT	Έρευνα
APT100GN120JDQ4	Microsemi	IGBT 1200V 153A 446W SOT227	Έρευνα
APT100M50J	Microsemi	MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227	Έρευνα
APT100GT60JR	Microsemi	IGBT 600V 148A 500W SOT227	Έρευνα
APT100F50J	Microsemi	MOSFET N-CH 500V 103A SOT227	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις