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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5806TR
1N5806TR
1N5806TR
Modello di prodotti:
1N5806TR
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
77890 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1N5806TR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-1N5806TR
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:875mV @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max):150V
Contenitore dispositivo fornitore:A-PAK
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):25ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:A, Axial
Altri nomi:1N5806
1N5806E3
1N5806E3TR
1N5806E3TR-ND
1N5806TR-ND
1N5806TRTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 150V 2.5A Through Hole A-PAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 150V
Corrente - raddrizzata media (Io):2.5A
Capacità a Vr, F:-
Numero di parte base:1N5806
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N5806TR

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5807 Semtech DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL Inchiesta
1N5806US Image 1N5806US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 1A D5A Inchiesta
1N5808 Microsemi DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG Inchiesta
1N5804 Semtech DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL Inchiesta
1N5802US Semtech DIODE GEN PURP 50V 1.1A Inchiesta
1N5807 Image 1N5807 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Inchiesta
1N5809US Semtech DIODE GEN PURP 100V 6A Inchiesta
1N5806C.TR Image 1N5806C.TR Semtech DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Inchiesta
1N5805 Image 1N5805 Microsemi DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL Inchiesta
1N5807US Semtech DIODE GEN PURP 50V 6A Inchiesta
1N5804US Semtech DIODE GEN PURP 100V 1.1A Inchiesta
1N5802 Semtech DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL Inchiesta
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1N5802US Image 1N5802US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A D5A Inchiesta
1N5804 Image 1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Inchiesta
1N5809 Semtech DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL Inchiesta
1N5804US Image 1N5804US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A D5A Inchiesta
1N5806US Semtech DIODE GEN PURP 150V 1.1A Inchiesta
1N5807US Image 1N5807US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF Inchiesta
1N5803 Image 1N5803 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL Inchiesta

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