Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N5806TR
1N5806TR
1N5806TR
Αριθμός εξαρτήματος:
1N5806TR
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
77890 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1N5806TR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply 1N5806TR, use the request quote form to request 1N5806TR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 1N5806TR.The price and lead time for 1N5806TR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 1N5806TR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-1N5806TR
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:875mV @ 1A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):150V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:A-PAK
Ταχύτητα:Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):25ns
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:A, Axial
Αλλα ονόματα:1N5806
1N5806E3
1N5806E3TR
1N5806E3TR-ND
1N5806TR-ND
1N5806TRTR
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-65°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 150V 2.5A Through Hole A-PAK
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1µA @ 150V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):2.5A
Χωρητικότητα @ VR, F:-
Αριθμός μέρους βάσης:1N5806
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 1N5806TR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
1N5807 Semtech DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL Έρευνα
1N5806US Image 1N5806US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 1A D5A Έρευνα
1N5808 Microsemi DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG Έρευνα
1N5804 Semtech DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL Έρευνα
1N5802US Semtech DIODE GEN PURP 50V 1.1A Έρευνα
1N5807 Image 1N5807 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Έρευνα
1N5809US Semtech DIODE GEN PURP 100V 6A Έρευνα
1N5806C.TR Image 1N5806C.TR Semtech DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Έρευνα
1N5805 Image 1N5805 Microsemi DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL Έρευνα
1N5807US Semtech DIODE GEN PURP 50V 6A Έρευνα
1N5804US Semtech DIODE GEN PURP 100V 1.1A Έρευνα
1N5802 Semtech DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL Έρευνα
1N5809 Image 1N5809 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Έρευνα
1N5802US Image 1N5802US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A D5A Έρευνα
1N5804 Image 1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Έρευνα
1N5809 Semtech DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL Έρευνα
1N5804US Image 1N5804US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A D5A Έρευνα
1N5806US Semtech DIODE GEN PURP 150V 1.1A Έρευνα
1N5807US Image 1N5807US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF Έρευνα
1N5803 Image 1N5803 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις