Belső rész száma | RO-SIE816DF-T1-E3 |
---|---|
Feltétel | Original New |
Ország eredete | Contact us |
Top jelölés | email us |
Csere | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 10-PolarPAK® (L) |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 10-PolarPAK® (L) |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 30V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
Részletes leírás: | N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |