Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RTE002P02TL
RTE002P02TL
RTE002P02TL
Αριθμός εξαρτήματος:
RTE002P02TL
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
37788 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RTE002P02TL.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply RTE002P02TL, use the request quote form to request RTE002P02TL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RTE002P02TL.The price and lead time for RTE002P02TL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RTE002P02TL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-RTE002P02TL
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:EMT3
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):150mW (Ta)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SC-75, SOT-416
Αλλα ονόματα:RTE002P02TLTR
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 10V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για RTE002P02TL

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
RTE0202N04 Image RTE0202N04 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0201N03 Image RTE0201N03 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0202N03 Image RTE0202N03 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0200G01 Image RTE0200G01 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0201R04 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0201N04 Image RTE0201N04 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0200N04 Image RTE0200N04 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0202N01 Image RTE0202N01 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0201R05 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200N01 Image RTE0200N01 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200N05 Image RTE0200N05 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200N03 Image RTE0200N03 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0200G03 Image RTE0200G03 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0201N01 Image RTE0201N01 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200G05 Image RTE0200G05 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200G04 Image RTE0200G04 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0200R04 Image RTE0200R04 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα
RTE0201N05 Image RTE0201N05 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200R05 Image RTE0200R05 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V Έρευνα
RTE0200R03 Image RTE0200R03 C&K SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V Έρευνα

Latest Ειδήσεις