PHD18NQ10T,118
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PHD18NQ10T,118
- Κατασκευαστής:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
- Κατάσταση RoHS:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 60296 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PHD18NQ10T,118.pdf
Εισαγωγή
We can supply PHD18NQ10T,118, use the request quote form to request PHD18NQ10T,118 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PHD18NQ10T,118.The price and lead time for PHD18NQ10T,118 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PHD18NQ10T,118.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-PHD18NQ10T,118 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DPAK |
| Σειρά: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 79W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Αλλα ονόματα: | 934055700118 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 100V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PHD18NQ10T,118
Latest Ειδήσεις
- Η NXP συνεργάζεται με την Amazon Web Services (AWS) για να επεκτείνει τις επιχειρηματικές ευκαιρίες για συνδεδεμένα οχήματα
- Η NXP Semiconductors ανακοινώνει τριμηνιαίο μέρισμα
- Οι ημιαγωγοί NXP και το Jefferies θα επιδείξουν διδασκαλία συστήματος ισχύος 5G RF
- Η NXP επεκτείνει την ηγετική της θέση στην υποδομή 5G με μονάδες πολλαπλών τσιπ RF δεύτερης γενιάς που αυξάνουν τη συχνότητα, την ισχύ και την αποδοτικότητα
- Η NXP ανακοίνωσε ένα πλήρες κιτ λύσης αισθητήρα ραντάρ που μπορεί να περιβάλλει το όχημα σε κουκούλα ασφαλείας 360 μοιρών