MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Κατασκευαστής:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Περιγραφή:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 38460 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
Εισαγωγή
We can supply MB85R256GPF-G-BND-ERE1, use the request quote form to request MB85R256GPF-G-BND-ERE1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MB85R256GPF-G-BND-ERE1.The price and lead time for MB85R256GPF-G-BND-ERE1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MB85R256GPF-G-BND-ERE1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 150ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Τεχνολογία: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Σειρά: | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 256Kb (32K x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | FRAM |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
| Χρόνος πρόσβασης: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map