Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > JAN1N6628US
JAN1N6628US
JAN1N6628US
Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N6628US
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
44270 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
JAN1N6628US.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply JAN1N6628US, use the request quote form to request JAN1N6628US pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N6628US.The price and lead time for JAN1N6628US depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N6628US.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-JAN1N6628US
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.35V @ 2A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):660V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D-5B
Ταχύτητα:Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά:Military, MIL-PRF-19500/590
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):30ns
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:E-MELF
Αλλα ονόματα:1086-19987
1086-19987-MIL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-65°C ~ 150°C
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:2µA @ 660V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):1.75A
Χωρητικότητα @ VR, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N6628US

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
JAN1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N6626U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6631US Image JAN1N6631US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B Έρευνα
JAN1N6638 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL Έρευνα
JAN1N6631U Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Έρευνα
JAN1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL Έρευνα
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B Έρευνα
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Έρευνα
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6630U Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Έρευνα
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Έρευνα
JAN1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF Έρευνα
JAN1N6625U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF Έρευνα
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Έρευνα

Latest Ειδήσεις