Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > JAN1N6625U
JAN1N6625U
Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N6625U
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
64596 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
JAN1N6625U.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply JAN1N6625U, use the request quote form to request JAN1N6625U pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N6625U.The price and lead time for JAN1N6625U depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N6625U.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-JAN1N6625U
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Peak Reverse (Max):Standard
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1A
Τάσης - Ανάλυση:D-5A
Σειρά:Military, MIL-PRF-19500/585
Κατάσταση RoHS:Bulk
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):Fast Recovery = 200mA (Io)
Αντίσταση @ Αν, F:-
Πόλωση:SQ-MELF, A
Άλλα ονόματα:1086-19975
1086-19975-MIL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:30ns
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:JAN1N6625U
Διευρυμένη περιγραφή:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
Διαμόρφωση δίοδος:1µA @ 1000V
Περιγραφή:DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1.75V @ 1A
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode):1000V (1kV)
Χωρητικότητα @ VR, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N6625U

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
JAN1N6624US Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A D5A Έρευνα
JAN1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A D5A Έρευνα
JAN1N6622US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 2A D5A Έρευνα
JAN1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6623U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF Έρευνα
JAN1N6624U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF Έρευνα
JAN1N6626U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6622 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL Έρευνα
JAN1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N6622U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF Έρευνα
JAN1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις