Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > JAN1N6626U
JAN1N6626U
Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N6626U
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
47840 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
JAN1N6626U.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply JAN1N6626U, use the request quote form to request JAN1N6626U pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N6626U.The price and lead time for JAN1N6626U depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N6626U.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-JAN1N6626U
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Peak Reverse (Max):Standard
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.75A
Τάσης - Ανάλυση:D-5B
Σειρά:Military, MIL-PRF-19500/590
Κατάσταση RoHS:Bulk
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):Fast Recovery = 200mA (Io)
Αντίσταση @ Αν, F:-
Πόλωση:SQ-MELF, E
Άλλα ονόματα:1086-19978
1086-19978-MIL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:30ns
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:JAN1N6626U
Διευρυμένη περιγραφή:Diode Standard 200V 1.75A Surface Mount D-5B
Διαμόρφωση δίοδος:2µA @ 200V
Περιγραφή:DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1.35V @ 2A
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode):200V
Χωρητικότητα @ VR, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N6626U

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF Έρευνα
JAN1N6623U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF Έρευνα
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Έρευνα
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N6624U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF Έρευνα
JAN1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A D5A Έρευνα
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Έρευνα
JAN1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N6624US Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A D5A Έρευνα
JAN1N6625U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF Έρευνα
JAN1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Έρευνα
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Έρευνα
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B Έρευνα

Latest Ειδήσεις