IXZ631DF18N50 - Διανομέας IXYS RF

IXZ631DF18N50

Αριθμός εξαρτήματος:: IXZ631DF18N50

Κατασκευαστής:: IXYS RF

Περιγραφή:: 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 34669 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: IXZ631DF18N50.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IXZ631DF18N50, use the request quote form to request IXZ631DF18N50 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXZ631DF18N50.The price and lead time for IXZ631DF18N50 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXZ631DF18N50.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-IXZ631DF18N50
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - Προμήθεια:	8 V ~ 18 V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	10-SMD
Σειρά:	-
Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος):	3.4ns, 1.65ns
Συσκευασία:	Tube
Συσκευασία / υπόθεση:	10-SMD, Flat Lead
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Συχνότητα εισόδου:	1
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:	14 Weeks
Τάση λογικής - VIL, VIH:	0.8V, 3.5V
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:	Non-Inverting
Υψηλής Τάσης Side - Max (Bootstrap):	500V
Τύπος πύλης:	N-Channel MOSFET
Προσαρμοσμένη ρύθμιση:	Low-Side
Λεπτομερής περιγραφή:	Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD
Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης):	95A, 95A
Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max):	Single
Καλιφόρνια Prop 65:	Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov.
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για IXZ631DF18N50

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
IXZR16N60	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα
IXZ631DF12N100	IXYS RF	IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA	Έρευνα
IXDI409CI	IXYS Corporation	IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5	Έρευνα
IXZR18N50B-00	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα
IXZ308N120	IXYS	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	Έρευνα
IXZH10N50L2B	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL TO-247	Έρευνα
IXZR08N120	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα
IXZ210N50L2	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	Έρευνα
IXZ316N60	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	Έρευνα
IXZR18N50	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα
IXZH10N50L2A	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL TO-247	Έρευνα
IXZ318N50	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL	Έρευνα
IR1167ASTRPBF	International Rectifier (Infineon Technologies)	IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC	Έρευνα
IXZ2210N50L2	IXYS RF	RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275	Έρευνα
IXZ210N50L	IXYS Corporation	N-CHANNEL RF MOSFET 175MH	Έρευνα
IXZ-2510	InvenSense	MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN	Έρευνα
MAQ4124YME-TRVAO	Micrel / Microchip Technology	IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC	Έρευνα
IXZR08N120A-00	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα
IXZR18N50A-00	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα
IXZR08N120B-00	IXYS RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις