Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - RF > IXZ210N50L2
IXZ210N50L2
IXZ210N50L2
Αριθμός εξαρτήματος:
IXZ210N50L2
Κατασκευαστής:
IXYS RF
Περιγραφή:
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
48318 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXZ210N50L2.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IXZ210N50L2, use the request quote form to request IXZ210N50L2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXZ210N50L2.The price and lead time for IXZ210N50L2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXZ210N50L2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-IXZ210N50L2
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Test:100V
Τάση - Ονομαστική:500V
transistor Τύπος:N-Channel
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:DE275
Σειρά:Z-MOS™
Ισχύς - εξόδου:390W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Θόρυβος Εικόνα:-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:14 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:17dB
Συχνότητα:70MHz
Λεπτομερής περιγραφή:RF Mosfet N-Channel 100V 70MHz 17dB 390W DE275
τρέχουσα Αξιολόγηση:10A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXZ210N50L2

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL Έρευνα
IXZ-2510 Image IXZ-2510 InvenSense MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN Έρευνα
IXZH10N50L2B Image IXZH10N50L2B IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Έρευνα
IXZR18N50A-00 Image IXZR18N50A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
IXZR08N120B-00 Image IXZR08N120B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
CLF1G0035-200PU Image CLF1G0035-200PU Ampleon RF FET 50V 11DB SOT1228A Έρευνα
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Έρευνα
IXZ210N50L IXYS Corporation N-CHANNEL RF MOSFET 175MH Έρευνα
PTFA261301E V1 Image PTFA261301E V1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Έρευνα
IXZR16N60 Image IXZR16N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
IXZR18N50 Image IXZR18N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
IXZ631DF18N50 Image IXZ631DF18N50 IXYS RF 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET Έρευνα
IXZ631DF12N100 Image IXZ631DF12N100 IXYS RF IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA Έρευνα
IXZ308N120 Image IXZ308N120 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL DE375 Έρευνα
IXZR08N120A-00 Image IXZR08N120A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Έρευνα
IXZH10N50L2A Image IXZH10N50L2A IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Έρευνα
IXZ316N60 Image IXZ316N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 Έρευνα
IXZ2210N50L2 Image IXZ2210N50L2 IXYS RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 Έρευνα

Latest Ειδήσεις